1. 梨型真空室尺寸：φ560mm×350mm，电动上掀盖结构，可内烘烤100～150℃；
1.1 溅射室极限真空度：6.67×10-6 Pa ；
1.2 系统真空检漏漏率：5.0×10-7 Pa.l/S；
1.3 系统短时间暴露大气并充干燥氮气开始抽气：溅射室40min内可达到6.6×10-4Pa；
1.4 系统停泵关机12小时后真空度：5 Pa；
2. 单工位样品台，基片尺寸：可放置φ100mm 基片；
2.1 基片加热最高温度500℃±1℃，由热电偶闭环反馈控制；
2.2 基片可自转，转速5～10 转/分；
2.3 基片可以加负偏压: 绝对值200V；
3. 磁控溅射靶组件5套，其中1个强磁靶位；
3.1 靶尺寸：2寸，靶厚3-5mm；
3.2 靶与样品距离90～110mm 可调；
3.3 500W 射频电源1套、500W直流电源2套，最多可支持3靶共溅射；
4. 工作气体：具备氮气、氧气和氩气等。

主要用于各种薄膜制备。

本仪器提供金属、非金属、单质、化合物等各类薄膜制备服务

至少提前一周电话预约服务；样品基片为片状，且不得具有放射性、毒性和腐蚀性；须提供样品基片的名称、尺寸等信息；送样者需明确制备需求参数。

1000元/小时，80元/10nm（贵金属）