二次电子（SE）像高真空：15kV时优于1.0nm；1kV时优于1.4nm（非减速模式）；低真空：30kV时优于1.5nm；背散射（BSE）像：100v时优于3.5nm。放大倍率范围：1—1,000,000倍（根据加速电压和工作距离的改变，放大倍数自动校准）。发射电压：200V 至 30kV；着陆电压：50V 至 30 kV。高稳定度Schottky肖特基场发射电子枪。五轴运动全对中样品台，有效移动范围：X /Y ≧110mm，Z ≧ 25mm，T = -15° to +70°，R= 360°连续旋转。

主要用于纳米材料的超高分辨微观形貌观察和微区分析。独特的双物镜设计以及低电压成像技术，对导电性不好的样品等适用性更强。具有低真空功能，对不导电样品进行更全面的分析。

样品可为块状固体或粉末颗粒，成像信号可以是二次电子或背散射电子。二次电子像：反映样品表面形貌差异的信息，即微观形貌像。背散射电子像：可得到不同区域内原子序数差别的信息，即组成分布像。

待测样品应该具有适当、足够的机械强度，以避免在进出电镜、或在检测的操作过程中，发生剥落、碎裂的状况；低熔点的材料如：铟、锡等，会产生相变及蒸镀效应，请勿使用；在电子束照射下会分解或释出气体之样品，会影响真空、造成污染，请勿使用；具强磁性、磁性或易被电磁透镜吸引的粉末型式样品或材料，请勿使用；未经正确处理或充分干燥的粉末样品，请勿使用。

校内：按照150元/时，喷金另收50元/样品。
校外：按照300元/时，喷金另收50元/样品。