服务信息
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二次电子(SE)像高真空:15kV时优于1.0nm;1kV时优于1.4nm(非减速模式);低真空:30kV时优于1.5nm;背散射(BSE)像:100v时优于3.5nm。放大倍率范围:1—1,000,000倍(根据加速电压和工作距离的改变,放大倍数自动校准)。发射电压:200V 至 30kV;着陆电压:50V 至 30 kV。高稳定度Schottky肖特基场发射电子枪。五轴运动全对中样品台,有效移动范围:X /Y ≧110mm,Z ≧ 25mm,T = -15° to +70°,R= 360°连续旋转。
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主要用于纳米材料的超高分辨微观形貌观察和微区分析。独特的双物镜设计以及低电压成像技术,对导电性不好的样品等适用性更强。具有低真空功能,对不导电样品进行更全面的分析。
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样品可为块状固体或粉末颗粒,成像信号可以是二次电子或背散射电子。二次电子像:反映样品表面形貌差异的信息,即微观形貌像。背散射电子像:可得到不同区域内原子序数差别的信息,即组成分布像。
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待测样品应该具有适当、足够的机械强度,以避免在进出电镜、或在检测的操作过程中,发生剥落、碎裂的状况;低熔点的材料如:铟、锡等,会产生相变及蒸镀效应,请勿使用;在电子束照射下会分解或释出气体之样品,会影响真空、造成污染,请勿使用;具强磁性、磁性或易被电磁透镜吸引的粉末型式样品或材料,请勿使用;未经正确处理或充分干燥的粉末样品,请勿使用。
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校内:按照150元/时,喷金另收50元/样品。
校外:按照300元/时,喷金另收50元/样品。
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