服务信息
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1. 具有4支直径为3英寸圆形平面磁控溅射靶（永磁靶3支，铁磁靶1支）
2. 腔室极限真空度2×10-5Pa
3. 从大气环境到工作背景真空5X10-4Pa时间≤30分钟
4. 膜厚均匀度优于3%
5. 基片加热可到500度，公转速度2-20转/分可调。 -
金属薄膜和半导体薄膜的制备
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薄膜制备设备
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如非现有靶材，无法提供镀膜服务；请提前一周咨询预约
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200元/小时
联系方式
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