服务信息
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1，晶片样品台尺寸：直径可达4英寸；2，基底可加热至520℃，腔壁可加热至150℃；3，等离子ALD附件：远程脉冲等离子源1套, 无需水冷，功率可到300瓦，用来在晶片样品上生长金属、氮化物和硫化物薄膜。
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设备可在晶圆表面或纳米颗粒表面沉积共形的氧化物、氮化物和硫化物等薄膜和金属薄膜，并可对薄膜厚度在原子层量级进行精确控制。
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粉末、晶圆蒸镀纳米共形薄膜
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最多提前预约 7 天,最少提前 10 分钟预约
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20元 / 样品，样品制备设备
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