1. 设备可用于 4 寸及以下的平面样品的薄膜生长。反应腔高度不高于 8mm。
2. 反应腔采用双区独立加热，分别用于加热样品和腔室壁。基片加热温度最高 400℃，控温精度
±1℃。
3. 工艺模式分为连续工艺模式和曝光模式。曝光模式可以满足深宽比 1000:1 的深槽镀膜要求。
*4. 单片反应腔抽取真空速度须在 1 分钟内达到 5x10-2 Torr，充腔时间须在 1 分钟内完成。
*5. 配备 4 路前驱源管路。其中 3 路前驱源管路都可以适应低蒸汽压源、高蒸汽压源、或气体前驱
源。
6. 工艺载气使用量单脉冲不大于 50sccm。
*7. 前驱源脉冲时间可精确控制到 0. 015s. 以 TMA 为例，其脉冲时间可短到 0.015s。
8. 前驱源瓶到腔室的距离不超过 20cm，保证管路尽量短。

制备多种材料的超薄薄膜，比如氧化物、氮化物、硫化物、 碳化物、氟化物、金属甚至聚合物

在几乎所有类型的衬底表 面精确数字化和可重复的控制薄膜厚度、均匀性、成分及保形 性

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