真空度可达5×10-6 Torr；系统的极限真空度 ≤ 5×10-7 Torr；四支溅射靶枪，靶材尺寸为3英寸；
具有一台功率为600 W的RF电源，射频频率为13.56 MHz，射频电源输出功率的精度优于满量程的+/-1%或者度数的+/-3%，电源长时间输出稳定性优于+/-0.5%；还具有一台功率为1500 W的直流电源，最高电压为1000 V，最大输出电流为4 A；进样室极限真空优于9×10-7 Torr；膜厚监视仪的精度≥ 0.1 A/S； 6英寸硅片镀制 150 nm以上的薄膜，均匀性不大于+/-5%；

磁控溅射薄膜沉积系统，主要由镀膜工艺腔、进样室、真空泵系统、真空测量系统、系统框架、磁控溅射系统、气路系统、控制系统等组成。可以实现无机氧化物传输层以及金属电极在基底上沉积成膜，并且保证得到的薄膜具有厚度均匀、结构致密、附着性强等特性。

QLED制备功能层

QLED器件制备，与现用靶材相同的前提下，自备金属靶材

200元/小时