设备主要用于金属单质薄膜和金属氧化物薄膜的制备，主要磁控溅射靶、基片台、真空室1、真空室2、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。
1.真空室1，主要用于制备金属单质薄膜
1.1真空室尺寸约Ф450mm x350mm，可内烘烤100～150℃
1.2 极限真空度：≤6.67X10-5 Pa
1.3 真空室组件上焊有各种规格的法兰接口：Dg150×1 个；Dg300×1 ；Dg300×1 ；Dg100×1 个；Dg35 ×5 ；Dg16×6 ；
1.4 真空室退火处理
1.5 永磁靶：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷，斜向上溅射成膜；靶配有屏蔽罩。
2.真空室2，主要用于制备金属氧化物薄膜
2.1 ；40 分钟可达到6.6X10-4Pa；可内烘烤100～150℃
2.2法兰接口 Dg150×1 ； Dg300 ×1 ； Dg300×1 ； Dg100 ×1 ；
2.3真空室退火处理；靶材尺寸：Φ60m，永磁靶：射频溅射与直流溅射兼容。
3.工作气路1 套

主要用于制备高纯度、高结晶度的金属单质薄膜和金属氧化物薄膜。

制备薄膜材料

1.应根据设备操作手册开启主电源和控制面板电源
2.室内应设置有排气管路，适时排除真空泵废气
3.按照操作手册及时清理腔室，保持清洁度和干燥度

金属薄膜:200元/样
金属氧化物薄膜:300元/样