2.1主腔体系统真空度优于310-10 mbar；
*2.2快速进样室系统真空度优于310-6 mbar；
*2.3扩展LEED/AES真空腔真空度优于310-10 mbar；
2.4 主腔体底部可安装6个蒸发源；
*2.5 K-cell蒸发源4个，包括电源与连接电缆线，控温范围80-1300oC，控温精度1oC；
*2.6 INFICON石英振荡膜厚仪，CF40法兰接口，不小于0.12Hz频率分辨率，频率稳定性在0-50oC；
*2.7样品操作台为XYZ三维移动型位移台，XY方向移动距离不小于5 mm, Z方向移动距离不小于100 mm；

该系统主要用于在超高真空环境下利用可控的分子束外延技术生长各类低维量子材料，配备样品传递和加热装置。同时，预留多种与不同设备匹配的接口以便后期扩展。系统主体包含主腔体、样品操纵台、快速进样室、超高真空计、扩展LEED/AES真空腔、红外数字测温仪和样品架及其他配件

薄膜外延生长、薄膜样品表面表征

测试前请和管理员联系

20元/样品