套刻精度：500nm，套刻对准精度是 100nm；

微米高分辨率投影光刻 l无需掩模板实现任意图案刻写,所见即所得,即用即刻 l最大200mm行程拼接,100nm拼接精度 l可视化指引光斑,支持套刻 l全自动操作,图形缩放、旋转、定位、扫描拼接均通过软件完成 紫外投影光刻通过将特定形状的光斑投射到器件表面涂敷的光刻胶上,光刻胶被辐照区域产生化学变化,在曝光、显影后即可形成微米精度的图样;通过进一步的刻蚀或蒸镀,最终可在样品表面形成所需要的结构。

作为材料、器件、微结构与微器件常用的制备技术，广泛用于维纳结构制备、半导体器件电极制备、太赫兹/毫米波器件制备、光学掩模版制备、PCB制造等应用

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