1.真空溅射腔室：Փ600×H500
2.溅射室：8.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）
3.膜厚不均匀性：≤±5%
4.溅射室腔体加热：室温~300℃

用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。能实现在玻璃、陶瓷和硅片基底上的Cu、Al薄膜的制备，能实现Al / Ni、Al/聚四氟乙烯多层膜的镀膜工艺自动化制备; 采用三靶直溅射镀膜方式镀膜，采用高性能进口磁控溅射靶和配有最先进的进口电源，保证了膜的质量；配有阳极层离子源进行清洗和辅助沉积，同时设备具有反溅射清洗功能，以提高膜的质量和牢固度。

集成多个溅射靶材和自动化控制，实现多层膜、复合膜或梯度膜的高效制备。

详见本实验室具体规定

按协议规定收费