该设备具有3吋磁控溅射靶3个，（2个普磁靶，1个强磁靶）。
衬底加热从室温加热至400℃。
基片尺寸为1片150 mm ×150 mm方形基片。
气体供应系统：配备两路气体（氩氧混合气、氩气)。
蒸镀速率：0.5-10Å/s稳定可控，蒸镀速率波动≤±0.1 Å/s。
单片内膜厚匀性：±1。
1台RF500W射频电源（自动匹配功能, 可设定额定功率输出）。
1台DC1000W直流电源（可设定额定功率输出）。
溅射不均匀性：≤±5％
衬底加热 ：室温～400℃±1℃， PID控制。  
旋转速度：0-30转/分连续可调
极限真空度为：8×10-5Pa。从常压抽的情况下抽到5×10-4Pa≤30分钟。

于样品表面沉积所需的金属膜、介质膜等，应用于半导体器件制备等方向

可溅射ITO、Ag、Al、AZO、IZO、NiO、MoO3、GaN等。
可蒸金属

样品要求：尺寸150×150mm以下晶圆或不规则碎片;
预约前必须先与联系人确认加工参数要求。

400元/小时
（材料额外收费）