溅射阴极尺寸≥L*W=660mm*170mm，每个阴极配备独立的直流脉冲电源，功率≥10KW，每个阴极配备线圈及线圈电源。线圈最大电流≥10A。
电弧阴极采用直列式排布，每组包括3个独立的电弧阴极，阴极直径尺寸≥φ100mm,最大电流≥150A。每个阴极配备独立的磁场线圈，线圈电流≥10A.每个电弧阴极配有直流磁过滤系统。
PECVD系统采用非平衡磁场系统，无需开启离子源即可裂解乙炔及甲烷，制备含氢DLC涂层。
等离子清洗采用纯净Ar+系统，无金属离子产生，最大电流100A，可进行离子氮化。
阴极挡板系统应具有大颗粒过滤功能，且挡板开合角度可调。
基材承载采用转盘模式，转盘直径≥Φ550mm*660mm，可方便拉出腔体。转盘上应配有热电偶，热电偶数量≥2个。
真空系统分子泵，常温空载下1小时真空度≤8E-5mbar，设备80℃以下，真空度在4.0-6mba 以下，漏率<5.0*10-4mbar.l/s。

磁控溅射，电弧，PECVD混合真空镀膜机，包括两组平面溅射阴极，两组电弧阴极，采用非平衡闭合磁场，可实现PECVD，制备DLC涂层。

硬质薄膜、碳膜、氧化物薄膜制备

需提前沟通预约

300元/小时