1．前驱体：4 个单管式 50 ml 固体液体源，1 条清扫气线；
2．2 个源瓶加热器，加热温度：180ºC，加热精度：±1ºC；
3．装载：抽屉式样品装载，4 寸 wafer，可兼容平片及粉末样品，成膜不
均匀性：<1%；
4．腔体：半导体级别真空腔体，最高运行温度 250℃，温度控制精度±1℃；
5．MFC 控制气体流量：进口 200SCCM 气体质量流量计，使工艺控制更
加精准；
6．阀组：包括多组进口毫秒级 ALD 阀门，采用 IGS 阀组设计，可实现
全方位无死角吹扫；

原子层沉积，可沉积的材料包括但不限于：氧化物、氮化物、氟化物、硫化物以及 MLD 沉积的聚合物、有机-无机杂化材料等。可满足各领域多层次镀膜需求；典型单圈厚度要求范围：氧化物、氮化物等：0.08–0.15nm/cycle

原子层精度薄膜制备

请提前一周预约并确认沉积条件

协议收费