蔡司GeminiSEM560的主要技术指标包括：

分辨率：0.4nm@15kV(SE)，0.7nm@1kV(SE)；1.0nm@1kV(镜筒内背散射探测器InlensBSE) 1。
低电压配备电子束减速模式：镜筒内减速（此模式时电压不低于20kV） 1。
电子束加速电压范围：0.02kV～30kV，着陆能量范围：20eV～30keV（非样品台减速模式下） 1。
电子束流：最大束流20nA，束流稳定性优于0.2% 1。
样品最大直径：200mm；配备快速样品交换仓，可放置样品直径80mm，抽真空时间45s 1。
探测器：配备样品室二次电子探测器、镜筒内部二次电子探测器（InlensSE探测器）、镜筒内背散射探测器（EsB探测器），镜筒内配置能量过滤系统，可调节能量范围0-1500V 1。
样品室真空度：高真空模式优于2.0×10-4Pa 1。

该仪器可用于陶瓷、高分子、粉末、金属、金属夹杂物、环氧树脂等材料表面形貌、组织观察和成分分析。结合附带的能谱仪可对材
料实时微区分析，可通过点、线和面扫描实现元素定量分析，多元素面分布分析，辅助实现相鉴定和相分布分析。结合附带的电子背散射
衍射仪可实现晶粒取向和织构分析，附带的Channe15 软件可对EBSD测试结果进行取向差、Schmid因子等晶体结构信息分析，绘制极图和反极图。

形貌分析和能谱分析

样品需要提前烘干，无强磁性

中级 240/小时；高级 480/小时