电子枪： 钨灯丝
高真空下的分辨率（二次电子）﹕ 30KV下3.0nm
3KV下8.0nm
低真空下的分辨率（背散射，低真空二次电子）﹕30KV下3.5nm
放大倍数﹕ 4.5x—1,000,000x（大视野模式/分辨率模式连续可调）
加速电压﹕ 200V至30KV
电子枪﹕ 钨灯丝
探针电流﹕ 1pA至2μA
扫描﹕
扫描速度﹕从20ns至10ms/每个象素分段式或连续式的调整。
扫描方式﹕点&线扫描
聚焦窗口 - 形状，尺寸和位置都可调整
动态聚焦 – 最大可达±70°
图像旋转，图像微移，倾斜校正
3维电子束 – 定义电子束倾斜角度后，围绕XY轴扫描
3维立体图像
电子束写入（选配软件）可写入多种图形

1、观测固体物质高分辨的形貌，形态图像(二次电子探测器SEI)-形貌分析(表面几何形态，形状，尺寸)；
2、显示化学成分的空间变化，基于化学成分的相鉴定---化学成分像分布，微区化学成分分析。

可进行金属、半导体、非金属、有机物等材料样品的的形貌观测，并配有能谱分析析仪(EDS)，可对材料成分和元素分布状态进行分析。

对院内外开放，试运行阶段。

试运行阶段，协议收费