1、智能嵌锁，确保操作安全；
2、保护气体，CDA（清洁干燥气体）/氮气（N2）,气压60~70PSI；
3、基片尺寸：6英寸圆片；
4、基片处理方式：Single Wafer单片处理；
5、最大可存储20个程序段、最大5个工艺步骤；
6、时间设定范围，1S~99Min59.9S（最小增量0.1 S）；
7、最大旋转速度，3000rpm，±0.5rpm (带安全罩)；
8、马达加速度，1–12,000rpm/s(系统程序默认为500rpm/s)；

主要用微细加工、半导体、微电子、光电子和纳米技术工艺中在硅片、陶瓷片上显影，湿法腐蚀，清洗，冲洗，甩干，与光刻、烘烤等设备配合使用。

光刻胶显影
SU8厚胶显影
显影后清洗
PostCMP清洗
光罩去胶清洗
光刻胶去除
刻蚀微刻蚀处理

初次使用者以操作说明为准，切勿盲目使用。使用过后按照要求进行维护保养。仪器使用后请关闭电源，没有专业设备和技术人员不能随意调动及拆卸机内元器件，以免影响控制精度，缩短使用寿命。

500元/小时；显影液、刻蚀液费用另算。